تحلیل، طراحی و بهبود مشخصات ترانزیستور های mesfet

thesis
abstract

کاهش ولتاژ شکست یکی از مهمترین اشکالات افزاره?هایی است که در تکنولوژی soi ساخته می?شوند. روش?های متعددی برای افزایش ولتاژ شکست افزاره?های soi پیشنهاد شده است. کاهش میدان سطحی، فوق پیوند و ایجاد پیک?های اضافی از کاربردی?ترین روش?های افزایش ولتاژ شکست می?باشند. با توجه به اینکه کاهش میدان الکتریکی موجب افزایش ولتاژ شکست می?شود در نتیجه با کم کردن میدان الکتریکی در کانال می?توان ولتاژ شکست را افزایش داد. یک روش برای کاهش میدان الکتریکی اصلاح ناحیه تخلیه می?باشد. در این پایان?نامه با ارائه ساختار جدید به اصلاح ناحیه تخلیه پرداخته شده است. در این ساختار به علت این که جریان به مقدار جزئی کاهش می?یابد در نتیجه توان خروجی آن نیز به صورت چشم گیری افزایش یافته است. این روش نیز با توجه به بهبود مشخصات فرکانسی، می?توان از آن در کاربردهای فرکانس بالا (گیگا?هرتز) نیز استفاده کرد.

similar resources

بهبود مشخصات ترانزیستورهای mesfet در تکنولوژی سیلیسیم روی عایق

این پایان نامه به بررسی و آنالیز مشخصات ترانزیستورهای اثر میدان فلز نیمه هادی و استفاده از تکنولوژی سیلیسیوم روی عایق در آن می پردازد و در این راستا چندین ساختار نوین برای آنها ارایه می شود. با توجه به اهمیت ترانزیستورهای قدرت و کاربرد گسترده آن ها در علوم مختلف در ساختارهای ارائه شده سعی بر این است که تا حد ممکن مشخصات توانی و فرکانسی را بطور همزمان افزایش دهیم.

آنالیزو بهبود مشخصه های ترانزیستور تغییر ساختار یافته ی soi mesfet

این پایان نامه به بررسی و آنالیز مشخصات ترانزیستورهای اثر میدان فلز-نیمه هادی و استفاده از تکنولوژی سیلسیم روی عایق بر روی آن می پردازد و در این راستا سه ساختار نوین ارائه می شود.با توجه به اهمیت ترانزیستورهای قدرت و کاربرد گسترده آن ها در علوم مختلف در ساختارهای ارائه شده سعی بر این است که تا حد ممکن مشخصات توانی و فرکانسی را بطور همزمان افزایش دهیم. در ساختار پیشنهادی اول یکsoi mesfetبا خازن ...

بهبود مشخصات ترانزیستور های لایه نازک پلی سیلیسیمی

ترانزیستور های لایه نازک پلی سیلیسیمی(poly-si tft) به دلیل کاربرد شان در مدار های سوئیچ کننده نمایشگرهای کریستال مایع ماتریس فعال ( ( amlcd و مدار های سه بعدی به طور وسیع در سال های اخیر مورد مطالعه قرار گرفته اند. یکی از مشکلات این نوع ترانزیستورها جریان نشتی بالای آنها می باشد که در نتیجه وجود مرزهای گرین در کانال ترانزیستور به وجود می آید و باعث تضعیف در مشخصات سوئیچینگ می شود. در این پروژه...

15 صفحه اول

طراحی و شبیه سازی یک ترانزیستور SOI-MOSFET چند لایه‏ ای برای بهبود اثرات خود گرمائی

این مقاله طرح جدیدی برای ساختار ترانزیستورهایSOI-MOSFET به عنوان راهکاری مناسب برای کاهش اثرات مخرب پدیده خودگرمایی ارائه می دهد. ایده اصلی در ارائه این ساختار نوین٬ استفاده ازماده Si3N4 می باشد که دارای هدایت گرمائی بالاتری نسبت به اکسید سیلیسیم است. همچنین به کمک شبیه سازی دو بعدی٬ عملکرد این ساختار مورد تجزیه و تحلیل قرار گرفته است. نتایج بدست آمده نشان می دهند که ساختار SOI-MOSFET چند لای...

full text

طراحی و شبیه سازی یک ترانزیستور soi-mosfet چند لایه‏ ای برای بهبود اثرات خود گرمائی

این مقاله طرح جدیدی برای ساختار ترانزیستورهایsoi-mosfet به عنوان راهکاری مناسب برای کاهش اثرات مخرب پدیده خودگرمایی ارائه می دهد. ایده اصلی در ارائه این ساختار نوین٬ استفاده ازماده si3n4 می باشد که دارای هدایت گرمائی بالاتری نسبت به اکسید سیلیسیم است. همچنین به کمک شبیه سازی دو بعدی٬ عملکرد این ساختار مورد تجزیه و تحلیل قرار گرفته است. نتایج بدست آمده نشان می دهند که ساختار soi-mosfet چند لایه ...

full text

طراحی و شبیه‌سازی هادی‌های مغناطیسی برای بهبود مشخصات آنتن‌های ماهواره و کاهش اثرات تششعات فضایی

در این مقاله، به‌منظور بهبود عملکرد آنتن‌های ماهواره، استفاده از سطوح با امپدانس بالا پیشنهاد می‌شود. سطوح با امپدانس بالا اغلب با نام هادی‌های مغناطیسی مصنوعی شناخته می‌شوند. هادی مغناطیسی طراحی‌شده، شامل آرایه‌ای از سطوح انتخابگر فرکانسی JC-FSS است که با چهار پایة رسانا به صفحة زمین متصل می‌شود. کلیة قطعات رسانای آن از جنس آلومینیوم و دی‌الکتریکی از نوع آرلون ای‌دی 270)(Arlon AD 270است که فضا...

full text

My Resources

Save resource for easier access later

Save to my library Already added to my library

{@ msg_add @}


document type: thesis

وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه سمنان - دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر

Keywords

Hosted on Doprax cloud platform doprax.com

copyright © 2015-2023